A vanádium-oxid az elmúlt években kiemelkedően sok kutatás fókuszában állt, mivel egy megannyi alkalmazás számára hasznos alapanyagról van szó, a termokróm ablakoktól kezdve a metaanyagokon, a gáz szenzorokon keresztül az energiatárolásig terjed a felhasználhatósága. A vanádium-oxidnak sok módosulata van, mikroelektronikai célokra a legfontosabb a VO₂, mivel ennek szigetelő-fém átmenete van, így rezisztív kapcsolást tesz lehetővé.

A vanádium-oxid különböző módosulatainak készítésére különböző technológiák is alkalmasak, de az atomi rétegleválasztás (ALD) egyedülálló előnyei folytán különösen jól használható eljárás a nagy felületen is kontrollált rétegkészítéshez. Az ALD módszer során prekurzorgázok reagálnak egy fűtött szubsztrát felületen. A módszer fő előnyei: az egyenletes rétegvastagság, a nagy fajlagos felületű struktúrák bevonása, és az összetétel és rétegvastagság atomi szinten pontos kontrollálása. A vanádium- oxid rétegek leválasztását évek óta célozzák az ALD kutatások, különböző prekurzorokat, és leválasztási kémiákat lehet használni erre a célra, de mindegyikkel alapvető problémák vannak. A jelen projekt célja a megfelelő reagensek megkeresése és a leválasztási paraméterek optimalizálása. A projekt fő célja VO₂ rétegek készítése, de a kutatás során a többi összetétel és kristályszerkezet készítésére és vizsgálatára is lehetőség nyílik.