A tokozott félvezető eszközök termikus tranziens teszteléssel történő karakterizálása már több évtizede az egyik fő támpillére az Elektronikus Eszközök Tanszékén folyó kutatási munkáknak. Az eljárás a félvezető eszközök nyitófeszültségének hőmérsékletfüggésére épít, amelynek segítségével roncsolásmentesen végezhetők el a termikus karakterizáláshoz szükséges vizsgálatok. A mérési eljárás elmélete alapvetően egyszerűnek tűnhet, megfelelő elvégzése azonban alapos szakmai ismereteket és körültekintő gyakorlati tapasztalatokat igényel.

A munka során a hallgató feladatai:

• Ismerkedjen meg a JEDEC JESD51-14 "Transient Dual Interface Test Method" termikus karakterizálási eljárással
• Végezzen irodalomkutatást teljesítmény félvezető eszközök, azon belül is az IGBT-k termikus tranziens teszteléssel történő karakterizálási módszereiről, azok speciális eseteinek és nehézségeinek feltárásában
• Kapcsolódjon be a Powerized projekt keretein belül a speciálisan erre a célra gyártott IGBT minták termikus tranziens tesztelésének előkészítésébe
• Építsen alkalmas minta leszorító és kontaktáló befogót
• Végezzen a TDIM módszernek megfelelő termikus tranziens méréseket a projekthez kapcsolódó mintákon
• Végezze el a mérések kiértékelését, határozza meg a IGBT modulok teljes hőellenállását a félvezető átmenet és a hordozó lemez külső határfelületéig
• Hasonlítsa össze és értékelje a különböző hordozóra gyártott minták termikus tulajdonságait a mérési eredmények alapján